一种利用CVD方法直接在铜粉表面包覆石墨烯的方法

摘要

本发明提出一种利用CVD方法直接在铜粉表面包覆石墨烯的方法，包括如下步骤：(1)在P型单晶硅上表面蒸镀催化剂层；(2)进行碳纳米管生长；(3)将铜粉放置在碳纳米管阵列表面；(4)退火5min去除表面氧化物及使铜晶粒长大；(5)进行石墨烯生长，得到石墨烯包裹的铜粉。本发明的优点在于利用范德华力将铜粉放置在碳纳米管阵列上，防止铜粉被吹掉的同时不会出现大面积烧结。而且采用气体碳源可保证铜粉被少层石墨烯完整地覆盖增大其抗氧化性能，采用该方法制备石墨烯包裹的铜粉在提高其在空气中抗氧化能力的同时也保证了其导电性能。