CVD法在电致发光粉表面包覆SiO_2膜

摘要

以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下,采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO3抗腐蚀、发光亮度等测试。结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2。包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动。