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用于擦除在制造集成电路过程中累积的电荷的方法和设备

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摘要

一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的方法包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-20

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8247 授权公告日:20070905 终止日期:20141202 申请日:20021202

专利权的终止
2007-09-05

授权

授权
2005-05-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-03-16

公开

公开

1. 用于擦除在制造集成电路过程中累积的电荷的方法和设备 [P] . 中国专利： CN100336205C . 2007.09.05
2. 测试芯片制造过程中电荷累积的方法 [P] . 中国专利： CN105280515A . 2016-01-27
3. Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit [P] . 美国专利： US6803319B2 . 2004-10-12

机译：在集成电路制造过程中光学擦除电荷累积的方法
4. Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit [P] . 美国专利： US6605484B2 . 2003-08-12

机译：在集成电路制造过程中光学擦除电荷累积的方法
5. PROCESS FOR OPTICALLY ERASING CHARGE BUILDUP DURING FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT [P] . 韩国专利： KR20040068925A . 2004-08-02

机译：集成电路制造过程中光学擦除电荷建立的过程