机译:一种新的随机电报信号方法,用于研究SONOS闪存中的程序/擦除电荷横向扩展和保留损耗
Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Charge lateral distribution; random telegraph signal (RTS); retention loss; silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS);
机译:用于提取编程/擦除循环SONOS闪存单元中接口状态能级的光电荷泵浦方法及其编程时间依赖性
机译:利用随机电报信号方法表征电荷陷阱闪存中氮化物空穴的横向迁移
机译:平面SONOS闪存单元中随机电报噪声幅度的程序捕获电荷效应。
机译:使用随机电报信号作为内部探针来研究SONOS闪存中的程序/擦除电荷横向扩散
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
机译:3-D NAND闪存中程序/擦除循环期间横向电荷扩散劣化的原子研究
机译:在浅水中长距离传输的线性调频扫描和伪随机噪声信号的相关损耗和时间扩展的测量