首页> 中国专利> 反应诱导单元、基板处理装置及薄膜沉积方法

反应诱导单元、基板处理装置及薄膜沉积方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括:工艺腔体、基板基座,设置于所述工艺腔体,在相同平面上放置有多个基板,与旋转轴相连接并进行旋转、加热器构件,位于所述基板基座的底面、以及反应诱导单元,用于在与放置于所述基板基座的多个基板的各个对应的位置向基板的处理面喷射气体;所述反应诱导单元由层积的至少三个板而具有多层复合结构的流路。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20140924

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20140924

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

    公开

  • 2016-07-27

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号