一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法；目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法。采用的技术方案为：对4H‑SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙硼烷形成P缓冲层；P缓冲层上外延生长SiC层并原位掺杂形成N型沟道层；N型沟道层外延生长SiC层并原位掺杂形成N+帽层；N+帽层上制作隔离区和有源区；制作源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层和沟道进行光刻、刻蚀，形成的双高栅区域；制作栅电极；制作电极压焊点，完成器件的制作。