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一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件

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摘要

本发明公开了一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括P型衬底、埋氧层、埋氧场板、顶层硅、横向多晶硅栅、源电极、漏电极、金属电极及栅氧化层；本发明的SOI LDMOS器件，具有源、漏埋氧场板，漏埋氧场板的引入屏蔽了漏区N

1. 一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件 [P] . 中国专利： CN105932062B . 2019.04.02
2. 一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件 [P] . 中国专利： CN105932062A . 2016-09-07
3. Compound Semiconductor Device with Buried Field Plate [P] . 美国专利： US2013153967A1 . 2013-06-20

机译：具有埋场板的化合物半导体器件
4. Lateral thin-film SOI device having a field plate with isolated metallic regions [P] . 美国专利： US7737524B2 . 2010-06-15

机译：横向薄膜SOI器件，其场板具有隔离的金属区域
5. LATERAL THIN-FILM SILICON-ON-INSULATOR SOI DEVICE HAVING A GATE ELECTRODE AND A FIELD PLATE ELECTRODE [P] . 韩国专利： KR100719301B1 . 2007-05-17

机译：具有门电极和场板电极的横向薄型绝缘体硅SOI器件