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孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法

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本发明的孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法属于晶体材料制备技术领域。使用简单的实验装置并利用气体和液体化学反应无机合成及热处理方法制备孪晶氧化铜掺铕材料，有配置气体和液体化学反应所需的原料、气体和液体化学反应及热处理制备孪晶氧化铜掺铕材料等步骤。本发明制备的样品具有独特的孪晶晶体结构，拥有特殊的

著录项

公开/公告号CN107473260B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-19

原文格式PDF
申请/专利权人吉林大学;
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申请/专利号CN201710809651.9
发明设计人张明喆;揣明艳;
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申请日2017-09-11
分类号
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人王恩远
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2022-08-23 10:28:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G3/02 授权公告日:20190319 终止日期:20190911 申请日:20170911

专利权的终止
2019-03-19

授权

授权
2019-03-19

授权

授权
2018-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/02 申请日:20170911

实质审查的生效
2018-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/02 申请日:20170911

实质审查的生效
2018-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 3/02 申请日:20170911

实质审查的生效
2017-12-15

公开

公开
2017-12-15

公开

公开
2017-12-15

公开

公开
2017-12-15

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