公开/公告号CN105506731B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海超硅半导体有限公司;
申请/专利号CN201510899270.5
申请日2015-12-09
分类号C30B15/20(20060101);C30B30/06(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构
代理人
地址 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号
入库时间 2022-08-23 10:28:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-20
专利权的转移 IPC(主分类):C30B 15/20 登记生效日:20190731 变更前: 变更后: 申请日:20151209
专利申请权、专利权的转移
2019-03-29
授权
授权
2019-03-29
授权
授权
2017-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/20 申请日:20151209
实质审查的生效
2017-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/20 申请日:20151209
实质审查的生效
2017-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20151209
实质审查的生效
2016-04-20
公开
公开
2016-04-20
公开
公开
2016-04-20
公开
公开
2016-04-20
公开
公开
查看全部
机译: 用于冷却硅单晶硅锭的水冷管,该硅单晶硅锭可改善每小时的硅锭生长速度,以及包括该硅单晶硅锭的硅单晶生长装置
机译: 在从单晶硅锭生长装置生长单晶硅锭的锭生长装置中,
机译: 用于生长单晶硅片和单晶硅片的方法,由于硅晶片中的氧气浓度不均匀,该单晶硅片和单晶硅片能够降低失效率