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物質·材料研と九大、高品質·低価格のモノシリコン育成法開発、50センチ大型結晶成長実現、酸素濃度6ppm以下達成でパワーデパイス向けにも展開へ

机译:九州大学材料研究所,开发高质量,低价的单晶硅生长方法,实现了50厘米大的晶体生长,实现了氧浓度小于或等于6 ppm,并扩展到功率器件

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摘要

物質·材料研究機構の関口隆史グループリーダーと九州大学の柿本浩一教授らの研究グループは、高品質·低価格の「モノシリコン」成長法を開発した。同研究グループは、シングルシードキャスト法という新規な鋳造法を世界に先駆けて開発、従来の鋳造法に比べて、太陽電池向けシリコン結晶の品質を飛躍的に向上することに成功したもの。これによって、シリコン太陽電池の高効率化が期待されるほか、結晶中の酸素濃度を6ppmにまで大幅に低減することにも成功しており、FZ(フローティング·ゾーン)法シリコン単結晶に迫るパワーデバイス向けの大型結晶の供給への期待が一気に高まってきた。
机译:由材料研究组织负责人高口关口(Takashi Sekiguchi)以及九州大学(Kyushu University)柿本浩一(Koichi Kakimoto)教授领导的研究小组,已经开发出了一种高质量,低成本的“多晶硅”生长方法。该研究小组是世界上第一个开发一种称为单晶种铸造方法的新型铸造方法的小组,与传统的铸造方法相比,该研究小组成功地显着提高了太阳能电池用硅晶体的质量。预期这将提高硅太阳能电池的效率,并且还成功地将晶体中的氧浓度降低到6 ppm,这与FZ(浮区)硅单晶一样强大。对器件大晶体供应的期望一度上升。

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  • 来源
    《金属時評》 |2015年第2324期|共2页
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  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-19 06:20:04

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