公开/公告号CN105255376B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司;
申请/专利号CN201510647122.4
申请日2015-10-08
分类号
代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司;
代理人申健
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2022-08-23 10:28:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-15
授权
授权
2016-02-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C09J7/02 申请日:20151008
实质审查的生效
2016-02-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C09J 7/02 申请日:20151008
实质审查的生效
2016-01-20
公开
公开
2016-01-20
公开
公开
机译: 具有高刻蚀选择性的刻蚀组合物,其制备方法,选择性刻蚀氧化物膜的方法以及使用相同方法制造半导体器件的方法
机译: 用于去除刻蚀残渣的组合物,用于去除刻蚀残渣的方法以及用于使用相同方法去除刻蚀残渣的套件以及用于制造磁阻存储器的方法
机译: 通过深反应离子刻蚀制造微系统,包括例如:提供用于深反应离子刻蚀的刻蚀工具,进行包括刻蚀步骤的深离子刻蚀的多个重复处理间隔