机译:使用感应耦合等离子体(ICP)的极紫外蚀刻(EUVL)的交替相移掩模(PSM)结构的高度选择性干法蚀刻
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:在使用SF6,C4F8和O-2等离子体蚀刻多晶硅和碳氟化合物聚合物期间,底部和侧壁蚀刻速率对偏置电压和源功率的依赖性
机译:石英的等离子体蚀刻用于制造交替孔径相移光掩模的制造:利用下一代ICP源进行蚀刻速率均匀性研究
机译:电感耦合等离子体刻蚀反应器中离子流和硅刻蚀速率的二维均匀性
机译:利用电感耦合等离子体源进行化合物半导体刻蚀的参数研究
机译:利用电感耦合等离子体源进行化合物半导体刻蚀的参数研究