MOS管制作方法、MOS管、三维存储器及电子设备

摘要

本发明提供一种MOS管制作方法、MOS管、三维存储器及电子设备。其中，所述MOS管制作方法，包括：在目标衬底上形成有源区；在所述有源区上方形成分段式氧化层，所述分段式氧化层包括设于第一电极区上方的第一平层段，靠近栅极区的第二平层段，以及介于所述第一平层段与所述第二平层段之间且沿靠近栅极区方向逐渐增厚的渐变段；向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，在所述有源区形成分段式漂移区和第一电极；基于所述分段式漂移区和所述第一电极形成MOS管。本发明提供的MOS管制作方法，可以有效避免部分位置因电场强度太大而容易击穿并导致器件损坏失效的问题。