首页> 中国专利> 基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法

基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积‑1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜，并刻蚀SiN薄膜成条形阵列；3.对带有SiN薄膜阵列的SOI晶圆进行退火；4.腐蚀去除SOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列，得到晶圆级单轴应变SOI材料。本发明利用SiO

著录项

公开/公告号CN105938813B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
展开▼

申请/专利号CN201610446183.9
发明设计人戴显英;郝跃;梁彬;蒲凯文;苗东铭;祁林林;焦帅;
展开▼

申请日2016-06-20
分类号
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 10:25:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-15

授权

授权
2016-10-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20160620

实质审查的生效
2016-10-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20160620

实质审查的生效
2016-09-14

公开

公开
2016-09-14

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法 [P] . 中国专利： CN105938813B . 2019.02.15
2. 基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法 [P] . 中国专利： CN106098612B . 2020.01.31
3. SOI Wafer and Method of Forming the SOI Wafer with Through the Wafer Contacts and Trench Based Interconnect Structures that Electrically Connect the Through the Wafer Contacts [P] . 美国专利： US2011260248A1 . 2011-10-27

机译： SOI晶圆和通过晶圆接触和电连接晶圆接触的基于沟槽的互连结构形成SOI晶圆的方法
4. QUARTER WAFER LOADING STRUCTURE IN A WAFER CARRIER OF A CHAMBER FOR GAS PHASE THIN FILM GROWTH AND A QUARTER TYPE WAFER CARRIER FOR THE SAME, CAPABLE OF MANUFACTURING A LASER DIODE WITH GOOD LEAKAGE CURRENT BLOCKING FEATURES [P] . 韩国专利： KR20090110460A . 2009-10-22

机译：用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构，以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体，能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管
5. Wafer level chip scale package manufacture comprises use of mold or complex stencil to make stress relaxing insulation layer for front face of wafer [P] . 法国专利： FR2849270A1 . 2004-06-25

机译：晶圆级芯片级封装的制造包括使用模具或复杂的模具来制造用于晶圆正面的应力松弛绝缘层