公开/公告号CN106676621B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司;
申请/专利号CN201710094187.X
申请日2017-02-21
分类号
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人唐清凯
地址 755099 宁夏回族自治区中卫市中卫工业园
入库时间 2022-08-23 10:25:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-15
授权
授权
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/20 申请日:20170221
实质审查的生效
2017-06-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20170221
实质审查的生效
2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
公开
机译: 用于硅半导体的低氧浓缩硅单晶的制造涉及通过水平磁场型直拉法对原料硅进行硅单晶拉伸
机译: 直拉区熔融法制备太阳能硅单晶的方法
机译: 利用直拉区熔融法制造太阳能级硅单晶的方法