功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片

摘要

本申请公开了一种功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片。其中，该制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，半导体基体的正面形成有功率晶体管；在半导体基体的背面形成金属层；在金属层上形成保护膜，以阻隔水汽与金属层接触。该制作方法通过在金属层上形成保护膜，且该保护膜用于阻隔水汽与金属层接触，从而减少了功率晶体管芯片中由于金属层被空气中的水汽氧化而形成的白斑缺陷，进而提高了功率晶体管芯片的性能。