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生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法

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用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)

著录项

公开/公告号CN1034455C

专利类型发明授权
公开/公告日1997-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人明尼苏达州采矿制造公司;
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申请/专利号CN93105939.9
发明设计人程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军;
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申请日1993-05-21
分类号H01S3/19;H01L33/00;H01L21/20;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王以平
地址美国明尼苏达州
入库时间 2022-08-23 08:54:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-07-23

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
1997-04-02

授权

授权
1995-08-02

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1994-01-19

公开

公开

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外文文献

1. 生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法 [P] . 中国专利： CN1034455C . 1997.04.02
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