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【24h】

Molecular Beam Epitaxy Grown PbSnTe Buried Quantum Well Diode Lasers with PbEuSeTe Confinement Layers

机译：具有PbEuSeTe限制层的分子束外延生长的PbSnTe埋藏量子阱二极管激光器

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《》|2001年|P.IIA-8-0-21|共1页
会议地点
作者
Feit; Z.; Kostyk; D.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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