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具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构

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具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本实用新型有源区包括多量子阱层和生长在多量子阱层上的发光层多量子阱层。所述多量子阱层包括In_XGa_1-XN阱层和生长在In_XGa_1-XN阱层上的GaN垒层。所述发光层多量子阱层包括发光层阱层和生长在发光层阱层上的发光层垒层。所述发光层阱层和发光层垒层交替生长，生长周期为5-20个周期。所述发光层阱层包括从下至上依次生长的In组分不同的In_XGa_1-XN层且0yGa_1-yN过渡层且0

著录项

公开/公告号CN204741026U

专利类型实用新型
公开/公告日2015-11-04

原文格式PDF
申请/专利权人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
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申请/专利号CN201520440570.2
发明设计人梁庆荣;林政志;曾颀尧;韦春余;
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申请日2015-06-25
分类号H01L33/12(20100101);
代理机构
代理人
地址 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
入库时间 2022-08-22 00:53:28

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2015-11-04

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