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电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺

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一种用于沉积掺杂的多晶或非晶态硅膜的方法。该方法包括将基片放在基座上。基座包括带有电阻加热器的主体和与电阻加热器物理接触的一对热电偶，基座被放在工艺腔室内，以使该工艺腔室有高于基座的顶部和低于基座的底部。该方法还包括加热基座。该方法还包括通过位于基座上方的喷头向工艺腔室中提供工艺气体混合物。该工艺气体混合物包括硅源气体、杂质气体及载气，载气包括氮气(N

著录项

公开/公告号CN1310287C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-04-11

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料有限公司;
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申请/专利号CN02810080.8
发明设计人 S·王;L·罗;S·A·陈;E·桑谢斯;X·陶;Z·德拉戈伊洛维奇;L·付;
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申请日2002-05-09
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 08:59:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20070411 终止日期:20140509 申请日:20020509

专利权的终止
2007-04-11

授权

授权
2004-09-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-07-28

公开

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1. 电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺 [P] . 中国专利： CN1310287C . 2007.04.11
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