法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01B 11/30 授权公告日:20070620 终止日期:20110809 申请日:20050809
专利权的终止
2007-06-20
授权
授权
2006-04-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-02-08
公开
公开
机译: 具有半固态保护部件的基坑表面粗糙度测量装置,其分析系统,使用该方法的基坑表面粗糙度测量方法以及使用分析系统的基坑表面粗糙度测量方法
机译: 使用非接触测量来制造半导体管芯,芯片和晶片的方法,该非接触测量是从测试晶片上启用NCEM的填充单元的DOE获得的,其中包括用于通过开路进行V0的NC检测的多种方法/步骤
机译: 使用非接触测量来制造半导体管芯,芯片和晶片的方法,该非接触测量是从测试晶片上启用NCEM的填充单元的DOE获得的,包括通过开路进行GATECNT-GATE的NC检测的多种方法/步骤