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一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法

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摘要

本发明提供一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法。先在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长高温AlN成核层；然后，依次生长三层其Al组分梯度渐变的应力调控层：第一层为5个周期(30nm)Al

1. 一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN105702826B . 2018.10.19
2. Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 [P] . 中国专利： CN105161578B . 2018.03.23
3. Nickel thin film on the Si substrate by chemical vapor deposition, and a method of manufacturing Ni silicide film on the Si substrate [P] . 日本专利： JP6091023B2 . 2017-03-08

机译：通过化学气相沉积在Si衬底上的镍薄膜以及在Si衬底上制造硅化镍的方法
4. GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE, AND PREPARATION METHOD FOR GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE [P] . 美国专利： US2018090316A1 . 2018-03-29

机译：在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
5. GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE, AND PREPARATION METHOD FOR GAAS THIN FILM GROWN ON SI SUBSTRATE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017016527A2 . 2017-02-02

机译：在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法