首页> 外文OA文献 >Si 基板上低残留応力GaN 膜成長技術の開発

【2h】

Si 基板上低残留応力GaN 膜成長技術の開発

机译：si衬底上低残余应力GaN薄膜生长技术的发展

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
山本暠勇;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2005
总页数
原文格式 PDF
正文语种 ja
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長－半導体レーザ用GaN基板の開発 [J] . 中村正志, 佐々木伸一, 清水英一, 電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics . 2002,第117期

机译：HVPE法在NGO衬底上生长GaN厚膜衬底-半导体激光器GaN衬底的开发
2. HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長－半導体レーザ用GaN基板の開発 [J] . 中村正志, 佐々木伸一, 清水英一, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2002,第114期

机译：HVPE法在NGO衬底上生长GaN厚膜衬底-半导体激光器GaN衬底的开发
3. HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長－半導体レーザ用GaN基板の開発 [J] . 中村正志, 佐々木伸一, 清水英一, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2002,第114期

机译：通过HVPE法研发GaN厚膜基板GaN厚膜基板的生长方法 - 用于半导体激光器的GaN板
4. Si基板上GaN成長の応力に対するAlGaN中間層の組成·膜厚の影響 [C] . 中原拓也, 出浦桃子, 百瀬健, 応用物理学会春季学術講演会;応用物理学会 . 2018

机译：AlGaN中间层组成和膜厚度对Si衬底上GaN生长应力的影响
5. Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究利用統計を見る [D] . 須郷満 1993

机译：Si衬底上III-V族化合物半导体的晶体生长及其在激光中的应用研究
6. Si 基板上低残留応力GaN 膜成長技術の開発 [O] . 山本暠勇 2005

机译：si基板上低残留応力GaN膜成长技术の开発

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号