Si基板上GaN成長の応力に対するAlGaN中間層の組成·膜厚の影響

摘要

GaNの成長基板としてSiが期待されているが、両者の格子定数や熱膨張係数の差から、GaN成 長層の高品質化には課題が多い。これに対しFig.1に示すように、A1NやAlGaNの中間層や緩衝 層によりGaN層に圧縮応力を印加して冷却中のクラック発生を防ぐ手法が有効である[1]。我々は これまでにA1N中間層について検討し、表面平坦性がGaN層への圧縮応力印加にもっとも影響 する因子であり、高温成長が望ましいことを見出した[2]。しかしGaN/AIN界面での転位発生によ り印加できる応力に限界があることから、今回はAlGaN中間層について、その組成および膜厚が GaN層の圧縮応力に与える影響を実験•シミュレーシヨン両方の観点から調べた。