公开/公告号CN104283535B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 韩国电子通信研究院;
申请/专利号CN201410409219.7
发明设计人 金铉卓;
申请日2014-07-04
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人李芳华
地址 韩国大田市
入库时间 2022-08-23 10:18:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-09
授权
授权
2015-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/30 申请日:20140704
实质审查的生效
2015-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/30 申请日:20140704
实质审查的生效
2015-01-14
公开
公开
2015-01-14
公开
公开
机译: 金属绝缘体过渡晶体管系统,包括用于提供临界电流的元件
机译: 半导体器件,例如金属氧化物半导体场效应晶体管,包括绝缘体衬底上的硅,该绝缘体衬底上具有半导体层,隔离膜,栅电极,中间层隔离膜和填充的接触孔
机译: 具有互补晶体管的半导体器件,该互补晶体管包括含ha的栅绝缘体和金属栅电极