法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-07
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L49/00 申请公布日:20100331 申请日:20080507
发明专利申请公布后的驳回
2010-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L49/00 申请日:20080507
实质审查的生效
2010-03-31
公开
公开
机译: 基于锗(GE)的金属绝缘体转变(MIT)薄膜,包括相同MIT薄膜的MIT装置以及制造该MIT装置的方法
机译: 使用热辐射产生图像-通过金属氧化物的金属-绝缘体转变
机译: 使用热辐射产生图像-通过金属氧化物的金属-绝缘体转变