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通过用于3D集成电路的衬底背部连结件的闩锁抑制和衬底噪声耦合降低

摘要

粗略描述的一种集成电路器件具有完全穿过衬底延伸的导体,其在一端被连接至衬底的顶侧表面并且在另一端被连接至衬底的背侧表面。在各种实施例中,导体与在衬底的背侧上的所有RDL导体绝缘,和/或与3D集成电路结构中的任何下方相邻的芯片上的所有导体和器件特征绝缘。还描述了制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104718618B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美商新思科技有限公司;

    申请/专利号CN201380053490.5

  • 发明设计人 J·卡瓦;V·莫洛兹;

    申请日2013-08-29

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-25

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20130829

    实质审查的生效

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20130829

    实质审查的生效

  • 2015-06-17

    公开

    公开

  • 2015-06-17

    公开

    公开

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