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孙会; 许巧丽; 夏建新;
中国电子学会;
四川省电子学会;
衬底噪声; 期间模拟; 数模混合电路; 保护环;
机译:铁沉积在轻掺杂衬底制备的n型和p型多孔硅上的电化学比较研究
机译:在n型轻掺杂硅衬底上电沉积生长的铁纳米结构中的低场微波吸收和磁阻
机译:轻掺杂纳米级双栅金属氧化物半导体场效应晶体管线性区域的解析低频噪声模型
机译:表征衬底噪声对轻掺杂衬底中的RF CMOS集成电路的影响
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:通过离子注入研究氢化轻掺杂B掺杂金刚石的低电阻率
机译:一种测量轻掺杂衬底上UWB频带衬底噪声的方法
机译:轻掺杂硅衬底中计算高效的衬底噪声耦合估计
机译:三维电阻器,例如P型轻掺杂单晶硅衬底,在N型强掺杂层中具有沿壁的垂直路径和沿基底的水平路径,其中该层在一个沟槽的壁和基底上延伸
机译:半导体器件晶体管具有具有轻掺杂区,重掺杂区和围绕轻掺杂区的扩散源/漏区的衬底
机译:氮化镓垂直肖特基二极管,在电极和轻掺杂层的周围分别设有重掺杂的p型和n型氮化镓保护环,其中电极布置在轻掺杂层上
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