法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-07
授权
授权
2016-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01L1/22 申请日:20160108
实质审查的生效
2016-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/22 申请日:20160108
实质审查的生效
2016-03-30
公开
公开
2016-03-30
公开
公开
机译: 使用牺牲层和空隙制造绝缘体上半导体(SOI)衬底和半导体器件的方法,以及由此制造的SOI衬底和器件
机译: 使用牺牲层和空隙制造绝缘体上半导体(SOI)衬底和半导体器件的方法
机译: 压力敏感传感器的制造方法,压力敏感传感器的制造设备以及压力敏感传感器