耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

摘要

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注.在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片.电桥采用1 mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180 mV,灵敏度为30～40 mV/(mA·MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1％oFS。与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异.