将ONO集成到逻辑CMOS流程中的方法

摘要

描述了将非易失性存储设备集成到逻辑MOS流程中的方法的实施例。一般而言，方法包括：在衬底的第一区之上形成MOS设备的衬垫介电层；由覆盖衬底的第二区之上的表面的半导体材料的薄膜形成存储设备的沟道，沟道连接存储设备的源极和漏极；在第二区之上形成覆盖沟道的图案化的介质堆栈，图案化的介质堆栈包括隧道层、电荷俘获层、和牺牲顶层；同时从衬底的第二区中移除牺牲顶层并从衬底的第一区中移除衬垫介电层；并且同时在衬底的第一区之上形成栅极介电层和在电荷俘获层之上形成阻挡介电层。