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一种避免浅沟槽隔离结构出现深度负载效应的方法

摘要

本发明主要涉及一种避免浅沟槽隔离结构出现深度负载效应的方法,藉由第一、第二开口刻蚀衬底,对应分别形成位于第一区域中的带有倾斜侧壁的第一沟槽和位于第二区域中的带有倾斜侧壁的第二沟槽,后续再刻蚀第二沟槽暴露出来的底部区,直至第一、第二沟槽的深度相同并且呈现为倾斜面的侧壁形貌。

著录项

  • 公开/公告号CN105355587B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201510662464.3

  • 发明设计人 崇二敏;黄君;

    申请日2015-10-14

  • 分类号

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:16:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-04

    授权

    授权

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20151014

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20151014

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

    公开

  • 2016-02-24

    公开

    公开

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