公开/公告号CN105355587B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201510662464.3
申请日2015-10-14
分类号
代理机构上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:16:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
授权
授权
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20151014
实质审查的生效
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20151014
实质审查的生效
2016-02-24
公开
公开
2016-02-24
公开
公开
机译: 一种避免在形成浅沟槽隔离沟槽时出现凹陷的方法
机译: 避免在浅沟槽隔离中形成沟槽时出现凹陷的方法
机译: 能够消除负载效应的半导体器件浅沟槽隔离沟槽的形成方法