一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。