一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法

摘要

本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。