法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-10
授权
授权
2016-05-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160113
实质审查的生效
2016-04-20
公开
公开
机译: 场效应管N沟道MOSFET器件,曾经是电子设备的可编程存储单元,其源极的掺杂比漏极高,其中从沟道到漏极的掺杂杂质浓度梯度很高
机译: 在MOS器件中形成超陡扩散区轮廓的方法及所得的半导体形貌
机译: 在MOS设备中形成超陡扩散区域轮廓的方法以及产生的半导体拓扑图