Semiconductor Junctions; Silicon; Aluminium; Fabrication; Ion Implantation; Laser Radiation; MOSFET; Physical Radiation Effects; Pulse Techniques; Ultraviolet Radiation; EDB/360605; EDB/426000;
机译:激光诱导原子层掺杂制备具有升高的SiGe源极/漏极的超浅结
机译:恒定直流扫描电容显微镜超浅掺杂轮廓表征精度的计算研究
机译:使用脉冲激光沉积制备具有设计梯度轮廓的功能梯度薄膜
机译:缺陷工程超浅结中的掺杂和迁移率分布:本体和SOI
机译:使用分子单层掺杂在硅中进行超浅磷扩散。
机译:联合评估掠入射X射线荧光和X射线反射率数据以改善超浅深度分布的轮廓
机译:超浅的同时传导和价带量子化, 半导体中的高密度掺杂分布