一种改善GaN HEMT器件散热性能的方法

摘要

本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的方法，具体实施步骤包括(1)衬底上深孔的刻蚀；(2)AlN材料的沉积以及平坦化；(3)AlGaN/GaN异质结生长及GaN HEMT器件的制备；(4)样品和临时载体的键合；(5)衬底的减薄以及背面金属的制作；(6)样品和临时载体的分离。本发明针对Si以及蓝宝石衬底低热导率导致在该类衬底上研制的GaN HEMT散热能力差的问题，提出在衬底中引入具有高热导率AlN的方法解决上述问题，可有效改善器件散热能力，同时与传统AlGaN/GaN工艺完全兼容的优点。