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改善散热特性的半导体装置

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本发明涉及一种半导体装置，更详细地，涉及一种利用接合时所使用的内部连接器能够有效地将在三维叠层结构的半导体装置内部中产生的热向半导体装置的外部排放的改善散热特性的半导体装置。

著录项

公开/公告号CN105431938B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-13

原文格式PDF
申请/专利权人爱思开海力士有限公司;
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申请/专利号CN201480028395.4
发明设计人安熙均;安相旭;李龙云;郑喜灿;全圣天;
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申请日2014-05-09
分类号H01L23/34(20060101);H01L23/48(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人瞿卫军;王朋飞
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 10:13:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-13

授权

授权
2017-03-08

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L23/34 登记生效日:20170214 变更前: 变更后: 申请日:20140509

专利申请权、专利权的转移
2016-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/34 申请日:20140509

实质审查的生效
2016-03-23

公开

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