避免漏极/源极延伸区的超浅层结发生漏电流的方法

摘要

一种避免一漏极/源极延伸区的一超浅层结发生漏电流的方法，先于一基底上形成一栅极，再于该基底中形成该漏极/源极延伸区；接着形成一衬垫层以覆盖该基底，并在于该栅极两侧形成一L形间隔壁后，移除未被该L形间隔壁覆盖的该衬垫层；最后同时于该基底中形成一梯状漏极/源极延伸区与一漏极/源极，再形成一金属硅化物层；本发明运用多次的离子注入工艺，使MOS晶体管具有一阶梯状轮廓的梯状漏极/源极延伸区，适度增加了金属硅化物层与源极/漏极的底部的距离，因此可避免金属硅化物层于漏极/源极延伸区的该超浅层结产生过大的漏电流的问题，并能防止该MOS晶体管发生贯通的现象，以在增加集成电路积集度的同时，达到确保产品效能的目的，进而提升产品竞争力。