IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
EE Dept., KU Leuven, B-3001 Leuven, Belgium;
ASM Belgium, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
ASM America, 3440 East University Dr., Phoenix, AZ;
Texas Instruments, 13121 TI Blvd, Dallas, TX 75243;
机译:应变松弛诱发缺陷的产生对嵌入式Si_(1-x)Ge_x源/漏结泄漏电流的影响
机译:通过干式氧化源/漏Si_(1-x)Ge_x结构的干氧化来实现高沟道应变
机译:Si_(1-x)c_x嵌入式源极/漏极结的泄漏电流研究
机译:弛豫诱导凹陷Si_(1-x)Ge_x源/漏极连接的过度漏电流
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:纳米复合材料(BaTiO3)1-x:(Sm2O3)x薄膜中垂直界面诱导的介电弛豫
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型