CMOS器件工艺中锗硅外延层的制备方法

摘要

本发明提供了一种CMOS器件工艺中锗硅外延层的制备方法，首先在半导体器件衬底上形成第一硬掩膜和第二硬掩膜，然后去除PMOS区域的第二硬掩膜，以暴露出PMOS区域；接着，对PMOS的源漏区进行离子注入，后续再刻蚀源漏区表面并进行锗硅外延生长。等离子体对PMOS的源漏区表面造成损伤，从而提高了后续刻蚀源漏区表面的刻蚀速率，源漏区表面刻蚀时间则相应减少，这样，可以减少刻蚀过程中对浅沟槽隔离结构表面的损伤，避免对浅沟槽隔离结构表面损伤太严重而暴露出PMOS的有源区表面，从而克服了现有工艺中容易在PMOS边界处生长出多余的锗硅外延层的缺陷。