用于静电放电(ESD)保护的延伸漏极非平面MOSFET

摘要

描述了采用了一个或多个非平面金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)的骤回ESD保护器件。所述ESD保护器件还可包括轻掺杂延伸漏极区，所述轻掺杂延伸漏极区的电阻可通过控制栅极来电容地控制，而不依赖于被保持处于地电位的栅极电极。控制电极可以是浮置的或被偏置，以便调制ESD保护器件性能。在实施例中，利用多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件来保护多个核心电路，所述多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件具有跨所述多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件改变的控制栅极电位。