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高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置

摘要

本发明是揭露一种高电压开漏极静电放电(ESD)保护装置,包含一第一高电压N通道金氧半场效晶体管(HV NMOSFET),其是连接一高电压焊垫与一低电压端,并接收高电压焊垫的高电压以正常运作。高电压焊垫与第一高电压N通道金氧半场效晶体管更连接一高电压静电放电(ESD)保护单元,其在正常操作下并不影响正常电路功能,但是,在高电压焊垫发生静电放电事件时,可以在接收高电压焊垫的静电放电电压后,有效率地释放此静电放电事件的静电放电电流。高电压静电放电保护单元与低电压端连接一电压箝位单元,其是经由高电压静电放电保护单元接收静电放电电压,以释放宣泄静电放电电流。

著录项

  • 公开/公告号CN103887306B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶焱科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201410078294.X

  • 发明设计人 彭政杰;陈志豪;姜信钦;

    申请日2014-03-05

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨

  • 地址 中国台湾新北市

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-01

    授权

    授权

  • 2015-03-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140305

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

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