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一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路

摘要

本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路,包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管;第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连,第一、第三、第五场效应晶体管各自的漏极分别相连,第一场效应晶体管的源极与第二场效应晶体管的漏极相连,第二、第四场效应晶体管各自的源极分别与电源相连,第四、第五、第六场效应晶体管各自的栅极分别相连,第四、第六场效应晶体管各自的漏极与第三场效应晶体管的栅极相连,第五、第六、第三场效应晶体管各自的源极都接地。本发明不仅能够完成普通反相器的逻辑功能,还具备优异的抗辐照性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105245221B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN201510792290.2

  • 发明设计人 唐明华;陈毅华;燕少安;张万里;

    申请日2015-11-18

  • 分类号H03K19/094(20060101);

  • 代理机构43108 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙);

  • 代理人颜昌伟

  • 地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-22

    授权

    授权

  • 2016-02-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/094 申请日:20151118

    实质审查的生效

  • 2016-01-13

    公开

    公开

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