法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-22
授权
授权
2016-02-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/094 申请日:20151118
实质审查的生效
2016-01-13
公开
公开
机译: 一种用于制造具有DRAM的腹板场效应晶体管的方法-存储单元配置,具有弯曲沟道的场效应晶体管和DRAM存储单元配置。
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,该场效应晶体管的栅极,特别是沟道和相应晶体管的长度被隔离。
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,该场效应晶体管的栅极,特别是沟道和相应晶体管的长度被隔离。