MOS integrated circuits; application specific integrated circuits; circuit simulation; integrated circuit modelling; nanoelectronics; semiconductor device models; system-on-chip; 3D field effect transistor; 3DFET; 5 to 20 nm; DCFET; MESA SOI; SOI VDCFET; circuit simu;
机译:二维器件仿真分析不同栅长和栅轮廓的砷化镓金属半导体场效应晶体管的直流特性和小信号等效电路参数
机译:具有集成电路的仿真程序强调电路模拟双栅极正反馈场效应晶体管的紧凑型建模
机译:沟道长度为37〜18 nm的鳍式场效应晶体管的三维仿真特性及设计
机译:有效沟道长度为30nm的台面SOI垂直双载流子场效应晶体管的二维器件仿真与制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有TCAD仿真的反馈场效应晶体管的单片3D集成电路逆变器研究
机译:基于单个单壁碳纳米管场效应晶体管的集成电路
机译:上海无线电厂14.全国第一家专注于mOs集成电路的无线电厂。理想的半导体器件,场效应晶体管和mOs集成电路。