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具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管

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摘要

本发明的实施例提供具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管(finFET)。金属化线形成平行于栅极，且多个接点形成于鳍片上方，以连接该金属化线至该栅极。该金属化线提供减少的栅极电阻，使得能使用较少晶体管来提供输入‑输出(IO)功能，从而提供省下的空间而能够增加电路密度。

1. 具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管 [P] . 中国专利： CN105023947B . 2018.04.17
2. 具有引发应力的源极/漏极形成用间隔件的鳍式场效晶体管结构及用以制造该鳍式场效晶体管结构的方法 [P] . 中国专利： CN102460661B . 2015.09.02
3. Fin - field effective memory cell transistors -, - field effect transistor - memory cells - arrangement and method for the production of a fin - - memory cell field effect transistor [P] . 德国专利： DE10260334B4 . 2007-07-12

机译：鳍式场有效存储单元晶体管-场效应晶体管-存储单元-鳍的布置和制造方法--存储单元场效应晶体管
4. Fin - field effective memory cell transistors -, - field effect transistor - memory cells - arrangement and method for the production of a fin - - memory cell field effect transistor [P] . 德国专利： DE10260334A1 . 2004-07-15

机译：鳍式场有效存储单元晶体管-场效应晶体管-存储单元-鳍的制造方法和制造方法--存储单元场效应晶体管
5. FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH DUMMY FIN STRUCTURE [P] . 美国专利： US2020144126A1 . 2020-05-07

机译：具有虚拟鳍片结构的鳍式场效应晶体管（FINFET）器件结构