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具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管

摘要

本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题,提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管,其技术方案可概括为:与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比,本发明的具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管还具有体内复合场板结构,该体内复合场板结构由电极及绝缘介质层组成。本发明的有益效果是,增加器件耐压,适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN104241351B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201410454183.4

  • 申请日2014-09-05

  • 分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);

  • 代理机构51124 成都虹桥专利事务所(普通合伙);

  • 代理人李凌峰

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    授权

    授权

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20140905

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

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