法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-20
授权
授权
2015-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20140905
实质审查的生效
2014-12-24
公开
公开
机译: 发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极,该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
机译: 氮化镓膜的制造方法及氮化物基异质结场效应晶体管的制造方法
机译: 铝氮化镓三元合金层和第二III氮化物三元合金层具有异质结的半导体器件