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一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法

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摘要

本发明提供一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法：使用三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)作为III族源，氨气(NH

1. 一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN105609402B . 2018.03.27
2. Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 [P] . 中国专利： CN105161578B . 2018.03.23
3. A process for the preparation of a homogeneous conductive carbon nanotubes containing coating on a substrate and the substrate with a homogeneous coating containing conductive carbon nanotubes [P] . 德国专利： DE102013223569A1 . 2015-05-21

机译：一种制备均质导电碳纳米管的方法，所述均质导电碳纳米管在基材上包含涂层，并且所述基材具有均质涂层，所述均质涂层包含导电碳纳米管
4. Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si substrate that is partially masked with Si O2 [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0430280B1 . 2004-02-25

机译： Si1-x Gex的选择性和非选择性沉积在部分被Si O2掩膜的Si衬底上
5. Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si substrate that is partially masked with Si O2 [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0430280A2 . 1991-06-05

机译： Si1-x Gex的选择性和非选择性沉积在部分被Si O2掩膜的Si衬底上