机译:氮等离子体对ECR-MBE法在Si衬底上制备GaN薄膜的影响
六方晶GaN; ECRプラズマアシストMBE法; プロセスの低温化; Si(111)基板; イオンダメージ; Hexagonal-GaN; ECR-plasma assisted MBE; low temperature growth process; Si(111) substrate; ion damage;
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