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非晶GAN薄膜的制备及性能:第一章绪论
1.1 GaN基半导体材料的研究概述
1.1.1 GaN基材料的研究历史和应用领域
1.1.2 GaN基材料的基本性质
1.2 a-GaN薄膜的研究
1.2.1非晶半导体的研究概述和应用领域
1.2.2非晶半导体的结构
1.2.3非晶半导体的能带特征
1.2.4非晶半导体的导电模型
1.2.5 a-GaN的研究历史
1.3 GaN薄膜的制备方法
1.3.1金属有机化学气相沉积
1.3.2分子束外延
1.3.3氢化物气相外延
1.3.4溅射
1.4本文的指导思想和研究内容
1.5本章小结
参考文献
非晶GAN薄膜的制备及性能:第二章GaN材料的制备与表征
2.1材料的制备原理
2.1.1溅射概述
2.1.2溅射系统
2.2本文采用的实验设备
2.2.1溅射系统
2.2.2退火设备
2.3样品的表征方法
2.3.1 X射线衍射
2.3.2傅立叶变换红外光谱
2.3.3拉曼光谱
2.3.4透射电子显微镜
2.3.5薄膜厚度和折射率的测量
2.3.6荧光分光光度计
2.3.7紫外-可见分光光度计
2.4本章小结
参考文献
非晶GAN薄膜的制备及性能:第三章 a-GaN薄膜的制备与光学性质的研究
3.1 a-GaN薄膜的制备与退火处理
3.1.1基片清洗
3.1.2薄膜的沉积
3.1.3退火处理
3.2 a-GaN薄膜的结构与光学性质的研究
3.2.1 X射线衍射分析
3.2.2拉曼光谱分析
3.2.3傅立叶红外光谱分析
3.2.4室温光致发光谱
3.3 a-GaN薄膜的紫外-可见光谱研究
3.3.1紫外-可见光谱
3.3.2消光系数和普通折射率:
3.4 Ar/N2流量比对a-GaN薄膜性质的影响
3.4.1椭圆偏振光谱
3.4.2紫外-可见光谱
3.5基片温度对a-GaN薄膜性质的影响
3.5.1 X射线衍射分析
3.5.2紫外-可见吸收光谱分析
3.6退火处理对薄膜光学性质的影响
3.7本章小结
参考文献
非晶GAN薄膜的制备及性能:第四章结论与展望
4.1本文的主要结论
4.2下一步工作展望
参考文献
碳纳米管的LB排布:第一章绪论
1.1碳纳米管概述
1.1.1碳纳米管的研究历史
1.1.2碳纳米管的结构
1.1.3碳纳米管的特性
1.1.4碳纳米管的主要应用
1.2碳纳米管的制备
1.2.1碳纳米管的生长机理
1.2.2碳纳米管的制备方法
1.3碳纳米管的有序排列与操控的研究现状
1.3.1过滤法
1.3.2等离子体辅助化学气相沉积法
1.3.3模版法
1.3.4力场、电场、磁场引导法
1.3.5自组装和表面功能化方法
1.3.6原子力显微镜或扫描隧道显微镜操纵法
1.3.7电纺丝技术
1.3.8 Langmuir-Blodgget技术
1.4本文的选题背景和研究内容
1.4.1本文的选题背景
1.4.2本文的研究内容
参考文献
碳纳米管的LB排布:第二章单壁碳纳米管的纯化与功能化
2.1样品的制备和测试
2.1.1样品的制备
2.1.2样品的结构表征与性能测试
2.2单壁碳纳米管的纯化
2.2.1碳纳米管的纯化概述
2.2.2单壁碳纳米管的纯化实验
2.2.3纯化结果讨论
2.2.4纯化机理分析
2.3单壁碳纳米管的剪切
2.3.1碳纳米管剪切的概述
2.3.2单壁碳纳米管的剪切实验
2.3.3剪切结果讨论
2.4碳纳米管的功能化
2.4.1功能化实验过程
2.4.2功能化结果讨论
2.5小结
参考文献
碳纳米管的LB排布:第三章采用 Langmuir-Blodgett技术对碳纳米管的排布
3.1 Langmuir-Blodgett膜概述
3.2实验部分
3.2.1溶剂的选择与溶液的配制
3.2.2基片的处理
3.2.3采用LB装置制备取向排列的单壁碳纳米管薄膜
3.2.4结构与性能表征
3.3实验结果讨论
3.3.1碳纳米管排布模型的建立
3.3.2膜压-面积曲线分析
3.3.3影响LB膜的因素
3.3.4多层碳纳米管膜
3.4小结
参考文献
碳纳米管的LB排布:第四章结论与展望
4.1本论文的主要结论
4.2下一步工作展望
在学期间的研究成果
致谢